V Конференция

 СИЛЬНО КОРРЕЛИРОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ И КВАНТОВЫЕ КРИТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ

14 июня 2007 г., г. Троицк, Московская. обл.

Конференция проводилась на базе Института физики высоких давлений РАН

при поддержке Отделения физических наук РАН и 

Российского фонда фундаментальных исследований.

  ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ

Л.В. Келдыш, академик    (ФИ АН),             (председатель)
П.И.Арсеев, д.ф.-м.н. (ФИАН),
С.В.Демишев, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН),
С.М.Стишов, чл.-корр. РАН (ИФВД РАН),
В.Б.Тимофеев, академик (ИФТТ РАН),
Л.А.Фальковский, д.ф.-м.н. (ИТФ РАН).

ОРГКОМИТЕТ

С.М.Стишов, чл.-корр. РАН (ИФВД РАН) (председатель),
П.И.Арсеев, д.ф.-м.н. (ФИАН),
В.В.Бражкин, д.ф.-м.н. (ИФВД РАН),
Т.В.Валянская, к.ф.-м.н (ИФВД РАН),
С.В.Демишев, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН),
В.А.Заяц, к.ф.-м.н. (ОФН РАН),
В.Н.Рыжов, д.ф.-м.н. (ИФВД РАН),
Л.Б.Солодухина (ИФВД РАН). 

 ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА 

Открытие конференции.

10.00-10.05         Л.В. Келдыш

10.05-10.10    С.М.Стишов

Сильно коррелированные электроны и квантовые критические явления

Председатель: В.Б. Тимофеев.

 

 10.10-10.25    П.А. Алексеев1, J.-M. Mignot2, К.С. Немковский1, Е.В. Нефёдова1, А.С. Иванов3, F. Iga4 (1 РНЦ “Курчатовский институт”, РФ, 2 Laboratoire Leon Brillouin, CEA/Saclay, F-91191 Gif sur Yvette, France, 3 Institut Laue-Langevin, BP 156, F-38042 Grenoble Cedex 9, France, 4 ADSM, Hiroshima University, Higashi Hiroshima, 739-8530, Japan). Синглетное основное состояние и спиновые флуктуации в YbB12  

10.25-10.40    А.В.Рыбина1, П.А.Алексеев1, К.С.Немковский1, Ж.-М.Миньо2, Е.В.Нефедова1, Р.Бюли3 (1 ИСФТТ, РНЦКурчатовский Институт”, 2 LLB, CEA/Saclay, F-91191 Gif sur Yvette, France, 3 ISIS, RAL, Didcot, Oxon, OX110QX, UK). Спиновые флуктуации в “кондо-изоляторах” на основе Sm.

 10.40-11.55    С.В.Демишев (Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН). Квантовая критичность, ЭПР и нанофизика.

 10.55-11.10    И.С. Любутин, А.Г. Гаврилюк (Институт кристаллографии РАН, Институт физики высоких давлений РАН). Переход диэлектрик-металл, спиновый кроссовер и магнитный коллапс в мультиферроике BiFeO3 при высоких давлениях.  

11.10-11.20    Перерыв

 11.20-11.40    С.М. Стишов, А.Е. Петрова (Институт физики высоких давлений РАН). Природа магнитного фазового перехода в зонном геликоидальном магнетике MnSi 

11.40-12.00    Н.Е.Случанко1, А.В.Богач1, В.В.Глушков1, С.В.Демишев1, К.В.Гоньков1, А.В.Кузнецов1,2, Е.И.Харуллин1, В.Б.Филипов3, Н.Ю.Шицевалова3 (1-Ин-т общей физики им.A.M.ПрохороваРАН, ул. Вавилова 38, Москва, 119991, Россия, 2-Московский инженерно-физический ин-т, Каширское шоссе 31, Москва, 115409, Россия, 3-Ин-т проблем материаловедения НАНУ, ул. Кржижановского 3, 03680 Киев, Украина). La1-xCexB6 (x<0.1): К вопросу о применимости модели кондо-примеси.

 12.00-12.20    С.А. Климин1,2, А.Б. Кузьменко2, М.Н. Попова1, G. Dhalenne3 (1Институт спектроскопии РАН, 142190 Троицк, Московская область, 2Département de Physique de la Matière Condensée, Universitée de Genève, Switzerland, 3Laboratoire de Physico-Chimie de ltat Solide, Université Paris-Sud, F-91405 Orsay, France). Оптические спектры монокристалла квазиодномерного никелата Gd2BaNiO5

 

12.20-12.35    Перерыв

 

Низкоразмерные системы

Председатель: Л.В. Келдыш

 

12.35-12.50    С.Н. Артеменко (Институт радиотехники и электроники РАН, Москва). Дальний порядок в системе сильно взаимодействующих электронов с одномерным спектром.

 

12.50-13.05    Е.М. Дижур, М.А. Ильина (Институт физики высоких давлений РАН), С.В. Зайцев-Зотов (Институт радиотехники и электроники РАН). Низкотемпературная проводимость нитевидных кристаллов квазиодномерного проводника NBS3 под давлением.

 

13.05-13.20    Ю.И. Латышев1, А.П. Орлов1, П. Монсо2, Д. Виньоль3 (1ИРЭ РАН, Москва; 2Институт Нееля, Гренобль; 3Нац. Лаб. Импульсных Магнитных Полей, Тулуза). Увеличение температуры пайерлсовского перехода NbSe3 в сильных магнитных полях

 

 

13.20-13.35    Л.А. Фальковский (Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН и Институт физики высоких давлений РАН). Фононный спектр графена.

 

13.35-13.50    В.А. Волков (Институт радиотехники и электроники РАН, Москва). Спектр краевых состояний в графене.

 

13.50-14.10 Перерыв

Сверхпроводимость

Председатель: С.М.Стишов

 

14.10-14.25    И. Протопопов, М. Фейгельман (Институт теоретической физики им. Л.Д.Ландау РАН). Дуальность сверхпроводник-изолятор в сетке из джозефсоновских проволочек

14.25-14.45    Н.М. Щелкачёв и И.С. Бурмистров (Институт Теоретической Физики им. Л.Д. Ландау РАН, Московский Физико-Технический Институт). Квантовые осцилляции проводимости границы сверхпроводник – двумерный электронный газ в магнитном поле.

 

14.45-15.00    С.И. Веденеев (Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук). Псевдощель и спиновые корреляции в слоистых высокотемпературных сверхпроводниках.

 

 15.00-15.25    Перерыв

 15.25-15.40    П.Д. Григорьев, Л.П. Горьков (Институт теоретической физики им. Ландау РАН, Черноголовка, Россия, National High Magnetic Field laboratory, Florida State University, Tallahassee, Florida). Сверхпроводимость, возникающая на фоне волны спиновой плотности.

 15.40-15.55    М.В. Магницкая1, Х.Х. Коханофф2, Дж. Профета3, С. Скандоло4, О. Дегтярева5, Е. Грегорьянц5 (1Институт физики высоких давлений РАН, Троицк, Московская обл., Россия, 2Университет Куинс, Белфаст, Северная Ирландия, 3Университет Л’Акилы, Коппито, Л’Акила, Италия, 4Международный центр теоретической физики, Триест, Италия, 5Эдинбургский университет, Эдинбург, Великобритания). Сверхпроводимость и волна зарядовой плотности в фазе высокого давления серы.

 

15.55-16.10    Ю.Н. Овчинников, A.Barone ,G.P. Pepe (ИТФ РАН, Universitai Napoli , Italy ) «Многочастичное туннелирование в Джозефсоновских контактах и гистерезис вольт-амперной характеристики вблизи порогового значения (Е1+Е2)/е».

 

Бозе-конденсация

Председатель: С.М.Стишов

 

 16.10-16.25    Ю.Е. Лозовик (ИС РАН) Сильные корреляции  и кристаллизация экситонов в квазидвумерных системах.

16.25-16.40    А. В. Горбунов, В. Б. Тимофеев (Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская область). Пространственная когерентность непрямых экситонов в кольцевой латеральной ловушке.

 16.40-16.55    М.Ю. Каган1, R. Combescot2, X. Leyronas2, S. Stringari3 (1 Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, 2 Ecole Normale Superieure Paris, France, 3 University di Trento, Italy). Фазовая диаграмма и спектр коллективных возбуждений резонансного ферми-газа.

 

Форма представления материала – компьютерный проектор или обычный проектор.

 16.55-18.00    Постерная сессия, общая дискуссия.

 

Список стендовых докладов

1.        1.      В.Н. Нарожный1, G. Fuchs2, K.-H. Müller2, K. Nenkov2 (1 ИФВД РАН, 2 IFW Dresden, Germany) «Dip-аномалия в магнитном экранировании RNi2B2C (= Lu, Y) и MgB2 в сверхпроводящем состоянии».

2.      В.Н. Нарожный1 и В.Н. Краснорусский (ИФВД РАН), «Исследование электросопротивления MnSi при сверхнизких температурах».

3.      А.М. Дюгаев, П.Д. Григорьев, Е.В. Лебедева (Институт теоретической физики им. Ландау РАН, Институт физики твердого тела РАН). Поверхностные атомы как новый тип возбуждений на поверхности жидкого гелия.

4.      А.В.Богач, В.В.Глушков, С.В.Демишев, Г.С.Бурханов, О.Д.Чистяков, Н.Е.Случанко «Квантовое критическое поведение у Ce(Al1-xCox)2.  

5.      Н.Е.Случанко, А.В.Богач, В.В.Глушков, С.В.Демишев, М.И.Игнатов, А.В.Кузнецов, Н.Ю.Шицевалова «Усиление паулиевского парамагнетизма и необычное магнитное упорядочение у CeB6».

6.      Н.Е.Случанко, В.В.Глушков, С.В.Демишев, М.И.Игнатов, Д.Н.Случанко, Н.Ю.Шицевалова, А.В.Левченко, К.Флахбарт «На пути к YbB12: эффекты спиновых флуктуаций в зарядовом транспорте RB12 (R=Ho, Er, Tm, Lu.

7.      М.А.Анисимов, В.В.Глушков, С.В.Демишев, Н.А.Самарин, Н.Ю.Шицевалова, Н.Е.Случанко «Магнитосопротивление PrB6 и NdB6».  

8.      А.В.Семено, А.Л.Чернобровкин, В.В.Глушков, Т.В.Ищенко, Я.М.Муковский, Р.В.Привезенцев, Н.Е.Случанко, Н.А.Самарин, С.В.Демишев «Аномальный магнитный резонанс и и магнитное фазовое расслоение в окрестности перехода металл-диэлектрик в La1-xCaxMnO3».

9.      Я.В. Гиндикин , В.А. Сабликов (ИРЭ РАН) «Вигнеровский кристалл в одномерной квантовой точке».  

10.  П.А. Алексеев1, В.Н. Лазуков1, Н.Н. Тиден1, А.В. Мирмельштейн2, Е.С. Клементьев3, И.П. Садиков1 «Тяжелофермионное состояние и релаксация возбуждений КЭП в CeAl3».

11.  Е.В.Нефёдова, П.А.Алексеев, К.С.Немковский, В.Н.Лазуков, Ж.-М.Миньо, А.В.Грибанов «Электронные и электрон-фононные корреляции в EuCu2Si2: нейтронные исследования».

12.  С.В. Зайцев-Зотов, В.Ф. Насретдинова, В.Е. Минакова, К. Билякович, Д. Старисинич (ИРЭ РАН) «Электрофизические и фотоэлектрические свойства квазиодномерного проводника ромбического TaS3 с примесями Nb».

13.  В.Ф. Насретдинова, С.В. Зайцев-Зотов, В.Е. Минакова (ИРЭ РАН) «Спектр фотопроводимости квазиодномерного проводника ромбического TaS3».

14.  М.Н. Попова, С.А. Климин, P.H.M. van Loosdrecht, D. Fausti, А.Б. Кузьменко, Л.Н. Безматерных (ИС РАН) «Фононы и магноны в квазиодномерных магнетиках RFe3(BO3)4».  

15.  С.А. Климин, М.Н. Попова, G. Dhalenne, Е.А. Попова (ИС РАН). «Квантовая критическая точка в цепочечных никелатах (Y1-xRx)2BaNiO5: спектроскопическое исследование». 

16.  И.Н.Котельников, С.Е. Дижур (ИРЭ РАН) "Эффекты резонансного поляронного взаимодействия и отражения электронов при туннелировании в структуре Al/delta-GaAs."  

17.  М. А. Скворцов (ИТФ РАН), M. Houzet (CEA, Grenoble , France ) «Мезоскопические флуктуации джозефсоновского тока в диффузных SNS контактах».

18.  Т. И. Щелкачёва и Е.Е. Тареева (ИФВД РАН) «Ориентационное стекло в молекулярном С60».

19.  С.В. Попова, М.В. Кондрин, О.А. Сазанова, В.Р. Гизатулин, В.В. Бражкин,А.Г. Ляпин1, С.А.Гудошников, Ю.В.Прохорова (ИФВД РАН) «Фазы высокого давления в системах полупроводник A3B5 - металл группы железа: проблемы и перспективы».

20.  Н.А. Козлов, А.Ф. Барабанов (ИФВД РАН) «Спиновая восприимчивость иттриевых купратов в рамках двухплоскостной модели фрустрированного антиферромагнетика».

21.  А.М.Белемук, В.Н. Рыжов (ИФВД РАН) «Стабильное и нестабильное состояние бозе –ферми смеси с притяжением между компонентами».

22.  П.И. Арсеев, Н.С. Маслова (ФИАН) «Взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании через одиночный электронный уровень молекулы».   

РЕГИСТРАЦИЯ

 Для участия в работе семинара необходимо зарегистрироваться
у Татьяны Валентиновны Валянской  E-mail: tval@hppi.troitsk.ru
Тел.:334 0016

       ПРОЕЗД

 Метро "Теплый стан", далее Автобусом № 531, 512 или  маршрутное такси № 136, 110 до остановки "Академгородок" или "40 км".

 Для участников семинара 14 июня 9.00 от метро «Теплый стан» будет отправлен автобус до ИФВД РАН.

Адрес: 142190, Московская обл., г. Троицк, Институт физики  высоких давлений РАН

СХЕМА ПРОЕЗДА

 

 


Back to HPPI Home Page



~ About HPPI ~ Brief history of HPPI ~ Scientific divisions ~ Scientific activities ~ Our products ~
~ Office of the director ~