• Программный комитет
• Оргкомитет
• Программа
• Регистрация
• Проезд

  ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ

         академик С.М.Стишов (ИФВД РАН) – председатель

         академик В.В. Бражкин (ИФВД РАН)    

          д.ф.-м.н. В.Е. Антонов (ИФТТ РАН)

          чл.-.корр. РАН П.И.Арсеев

          чл.-.корр. РАН В.В.Кведер

          д.ф.-м.н. В.Н. Рыжов (ИФВД РАН)

ОРГКОМИТЕТ

          В.В.Бражкин, академик (ИФВД РАН) - председатель,  

          В.Н.Рыжов, д.ф.-м.н. (ИФВД РАН)

          В.И.Бугаков, д.т.н. (ИФВД РАН)
          Т.В.Валянская, к.ф.-м.н (ИФВД РАН),
          Л.Б.Солодухина (ИФВД РАН). 

   ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА 

09.50 – 10.00 С.М. Стишов – Открытие конференции. Вступительное слово  

  I заседание. Председатель: С.М. Стишов

10.00 – 10.20 Л.Н. Когарко, Е.А. Матросова (ГЕОХИ РАН) «Растворимость хрома в глубинных минералах нижней мантии Земли (вадслеит, рингвудит, бриджманит)».  

10.20 – 10.40 Г.Е. Абросимова, В.Е. Антонов, В.Ф. Дегтярева, В.С. Ефимченко, К.П. Мелетов, С.С. Хасанов (ИФТТ РАН) «Синтез и свойства новых фаз высокого давления». 

10.40 – 11.00 В.Е. Дмитриенко, В.А. Чижиков (ИК РАН) «Новые метастабильные структуры в кремнии». 

11.00 – 11.20 В.А. Давыдов, Л.Ф. Куликова, С.Г.Ляпин (ИФВД РАН), В.Н. Агафонов «Эволюция углерода в гетероорганических системах при синтезе наноалмазов».

11.20 - 11.35 Перерыв 

II заседание. Председатель: П.И. Арсеев 

11.35 – 11.55 А.В. Цвященко, В.А. Сидоров, А.Е. Петрова, Л.Н. Фомичева, Д.А. Саламатин, М.В. Магницкая, Н.М. Щелкачев (ИФВД РАН), С.В. Григорьев, I. Mirebeau «Изменения  магнитных и электронных свойств спирального магнетика MnGe при частичном замещении Mn на Rh и Co».

11.55 – 12.15 П.В. Петров (ФТИ РАН) «Кулоновские корреляции и люминесцентные свойства компенсированных полупроводников».

12.15 – 12.35 Е.А. Екимов, М.В. Кондрин (ИФВД РАН), В.С. Кривобок, А.А. Хомич, И.И. Власов, Р.А. Хмельницкий, T. Iwasaki, M. Hatano «Структура и свойства алмазов, синтезированных из углеводородов в присутствии легирующих элементов Si, Ge и Sn».

12.35 - 12.55 В.С. Храпай (ИФТТ РАН) «Измерение локального электронного шума». 

12.55 - 13.15 С.В. Петруша (ИФТТ РАН) «Экспериментальные свидетельства геликальной природы краевых состояний HgTe». 

13.15 – 13.45 - Перерыв  

  III заседание. Председатель: В.В. Бражкин

 13.45 – 14.05 Ф.А. Пудонин (ФИАН) «Гигантская поляризационная оптическая невзаимность массивов магнитных наноостровов из FeNi».

14.05- 14.25 Г.А. Овсянников, К.И. Константинян, А.В. Шадрин, А.М. Петржик, Ю.В. Кислинский, G. Cristiani, G. Logvenov (ИРЭ РАН) «Сверхпроводящий ток в гибридных меза-структурах с прослойкой из иридата, обладающего  сильным спин-орбитальным взаимодействием».

14.25- 14.45 В.Г. Никифоров, Д.В. Лапаев,  В.С. Лобков (КФТИ РАН) "Стратегия создания фотостабильных люминесцентных материалов молекулярной фотоники на основе β-дикетонатных комплексов лантаноидов (III)".

14.45 - 15.05 В.Н. Полковников (ИФМ РАН) «Новые подходы синтеза и анализа многослойных бериллиевых структур рентгенооптики с барьерными слоями».

                        ПОСТЕРНАЯ СЕССИЯ

1. В.Ф. Дегтярева (ИФТТ РАН) «Щелочной металл цезий при сильном сжатии: ионизация электронного остова».

2. В.Ф. Дегтярева, Н.С. Афоникова (ИФТТ РАН) «Структурно сложные фазы Франка-Каспера и аппроксиманты квазикристаллов: электронная природа стабильности».

3. К.П. Мелетов, А.В. Кузьмин (ИФТТ РАН) «Структура и превращения при высоком давлении молекулярного комплекса фуллерена {Zn(DABCO)}C₆₀».

4. В.С. Ефимченко, О.И. Баркалов, К.П. Мелетов, В.И. Кулаков, И.А. Шолин, Н.С. Орлов (ИФТТ РАН) «Термическая устойчивость sII клатрата кремния при высоких давлениях и температурах».

5. Г.Е. Абросимова, Н.А. Волков, А.А. Крылова (ИФТТ РАН) «Исследование процессов формирования наностекол и наноструктур в аморфных сплавах под действием высокого давления»

6. А.А. Мазилкин (ИФТТ РАН) «Роль дефектов в явлении слабого ферромагнетизма наноструктурного оксида цинка». 

7. Н.М. Лядов, И.А. Файзрахманов, Р.И. Хайбуллин, В.А. Шустов, Д.М. Кузина, Ш.З. Ибрагимов, Ф.Г. Вагизов (КФТИ РАН) «Зависимость микроструктуры и магнитных свойств тонких пленок ⁵⁷Fe от режимов ионно-стимулированного осаждения». 

8. Р.М. Баязитов, Р.И. Баталов, И.А. Файзрахманов, Н.М. Лядов, Р.И. Хайбуллин, А.И. Гумаров (КФТИ РАН) «Гипердопирование кремния примесями металлов методом совместного ионного распыления». 

9. Д.А. Бизяев, А.А. Бухараев, Н.И. Нургазизов, А.П. Чукланов (КФТИ РАН) «Магнитно-силовая микроскопия планарных частиц с конфигурационной симметрией». 

10. А.В. Алексеев, Г.Г. Гумаров, В.Ю. Петухов (КФТИ РАН) «Исследование магнитных свойств пленок силицидов железа, ионно-синтезированных в поле механических напряжений». 

11. С.М. Хантимеров, Р.Р. Гарипов, Н.М. Сулейманов (КФТИ РАН) «Исследование электрофизических свойств композиционного материала на основе эпоксидной смолы и модифицированных углеродных нанотрубок».

12. Ю.А. Астров (ФТИ РАН) «Донорная примесь магния в кремнии: технология легирования, стабильность при термообработках, магнитоспектроскопия возбужденных состояний». 

13. М.А. Анисимов, В.В. Глушков, А.В. Богач, С.В. Демишев, Н.А. Самарин, В.В. Воронов, Н.Ю. Шицевалова, А.В. Левченко, В.Б. Филипов, С. Габани, К. Флахбарт, Н.Е. Случанко (ИОФ РАН) «Транспортные свойства разбавленных магнитных гексаборидов R_xLa_1-xB₆ и додекаборидов R_xLu_1-xB₁₂ (x<0,03)». 

14. В.В. Глушков, М.А. Анисимов, В.С. Журкин, А.В. Богач, С.В. Демишев, Н.А. Самарин, В.В.Воронов, Н.Е. Случанко, Н.Ю. Шицевалова, В.Б. Филипов, С. Габани, К. Флахбарт (ИОФ РАН) «Подавление многочастичных эффектов в узкозонном полупроводнике Sm_1-xYb_xB₆». 

15.  А.А. Жуков (ИФТТ РАН) «Особенности электронного транспорта в полупроводниковых вискерах в присутствии заряженного зонда атомно-силового микроскопа». 

16. А.А. Жуков (ИФТТ РАН) «Манипулятор для создания полевых транзисторов на основе полупроводниковых нановискеров с разными уровнями допирования и структурой, включая нановискеры core-shell (InAs/GaAs)».

17. С.И. Божко (ИФТТ РАН) «Исследование атомной и электронной структуры поверхности черного фосфора».

18. В.А. Прудкогляд (ФИАН) «Свойства двумерного полуметалла -  квантовой ямы в HgTe при перестройке электронного спектра давлением».

19. В.С. Кривобок (ФИАН) «Излучение многочастичных состояний в SiGe/Si квантовых ямах в ИК- и видимом диапазонах спектра».

20.  И.В. Загороднев, Д.А. Родионов, В.А. Волков (ИРЭ РАН) «Возбуждение сверхсветовых магнитоплазменных волн в неограниченном 2D электронном газе с анизотропией».

21. А.А. Заболотных, В.А. Волков (ИРЭ РАН) «Плазмоны в 2D электронной системе с ограниченным затвором».

22. В.П.Кочерешко (ФТИ РАН) «Индуцированная магнитным полем бозе-конденсация поляритоонов в микрорезонаторах ».

23. П.А. Марковин (ФТИ РАН) « Полярные состояния, индуцированные примесями в квантовом параэлектрике SrTiO₃».

24. Ю.А. Литвин, А.В. Спивак, Е.С. Захарченко, А.В. Кузюра (ИЭМ РАН) «Перитектическая реакция рингвудита (Mg,Fe)₂SiO₄ в эволюции магм и алмазообразующих расплавов переходной зоны мантии Земли (глубины 500 - 650 км, эксперимент при 15 - 20 ГПа)».

25. И.П. Зибров, В.П. Филоненко (ИФВД РАН) «Фазы высокого давления на основе оксидов ванадия и тантала».

26. Т.Р. Арсланов (ИФ ДНЦ РАН) «Структурно-зависимый магнетотранспорт в магнитном нанокомпозите Zn_0.1Cd_0.9GeAs₂+MnAs».

РЕГИСТРАЦИЯ

Для участия в работе конференции необходимо зарегистрироваться.

Дополнительную информацию можно получить у  Татьяны Валентиновны Валянской ( tval@hppi.troitsk.ru, Тел.: (495) 851 0016).

ПРОЕЗД

 Метро "Теплый стан", далее автобусом  № 531, 512, 508  до остановки "Академгородок", "40 км" или Маршрутным автобусом № 398 до остановки "Улица Централььная".

 Для участников семинара 14 декабря в 9.00  от метро «Теплый стан» будет отправлен автобус до ИФВД РАН: ПАЗ  Р129РТ 777 или ПАЗ В912ОТ 777

Адрес: 108840, г.Москва, г. Троицк, Калужское шоссе, стр. 14, Институт физики  высоких давлений РАН

 СХЕМА ПРОЕЗДА

  About HPPI ~ Brief history of HPPI ~ Scientific divisions ~ Scientific activities ~ Our products ~  Office of the director ~